원자 치환으로 0.7nm 초미세 트랜지스터 모듈 기술

IBS가 원자 치환 방식으로 단일 박막 안에 반도체와 절연막, 전극을 구현하는 데 성공했다고 밝혔다.

이번 성과는 초미세·초저전력 반도체 구현을 앞당길 수 있는 기술로 평가되며, 국제학술지 사이언스에 게재됐다.

의미는 소자 구조를 ‘쌓지 않고’도 필요한 기능층을 같은 박막에서 재구성할 수 있다는 점에 있다. 다만 실제 공정 적용과 성능 검증의 후속 단계는 구체적으로 제시되지 않아, 상용화까지의 속도는 확인이 필요하다.